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| Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响 期刊论文
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者: 郭可飞; 尹飞 ; 刘立宇; 乔凯; 李鸣; 汪韬; 房梦岩; 吉超; 屈有山; 田进寿; 王兴
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雪崩光电二极管 InGaAs/InP Zn扩散 单光子探测 雪崩击穿概率 |
| InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2023
作者: 郭可飞
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单光子探测 单光子雪崩光电二极管阵列 InGaAs/InP Zn 扩散 雪崩击穿概率 |
| 一种半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109873298A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人: 朱振; 张新; 肖成峰; 李沛旭; 孙素娟; 夏伟; 徐现刚
Adobe PDF(795Kb) | 收藏 | 浏览/下载：118/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109742649A, 申请日期: 2019-05-10, 公开日期: 2019-05-10
发明人: 林涛; 郝莎莎; 宁少欢; 李晶晶
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| 半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109565153A, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
发明人: 大野智辉; 大畑豊治; 小山享宏; 滝口干夫; 田中雅之
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| 半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109417274A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人: 池户教夫; 中谷东吾; 冈口贵大; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻
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| 半导体光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108040505A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15
发明人: 伊恩·里阿尔曼; 大卫·穆迪
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| 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104716027B, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
发明人: 冯兴联; 肖成峰; 郑兆河; 沈燕; 苏建; 朱振
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| 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104716027B, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
发明人: 冯兴联; 肖成峰; 郑兆河; 沈燕; 苏建; 朱振
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| 一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105720480A, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2016-06-29
发明人: 朱振; 徐现刚; 张新; 苏建
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