半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统

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	半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统
其他题名	半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统
	池户教夫; 中谷东吾; 冈口贵大; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻
	2019-03-01
专利权人	松下知识产权经营株式会社
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	半导体激光装置(1)具备以第一导电侧半导体层(100)、活性层(300)、第二导电侧半导体层(200)的顺序层叠而成的层叠结构体，所述半导体激光装置进行横模多模振荡，层叠结构体具备：前端面(1a)；后端面(1b)；将前端面(1a)与后端面(1b)用作谐振器反射镜的光波导路，第二导电侧半导体层(200)，从活性层(300)近的一侧，依次具有第一半导体层(210)和第二半导体层(220)，针对光波导路的电流注入区域的宽度，由第二半导体层(220)规定，电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比前端面(1a)以及后端面(1b)位于内侧，电流注入区域具有宽度发生变化的宽度变化区域，将宽度变化区域的前端面(1a)侧的宽度设为S1，宽度变化区域的后端面(1b)侧的宽度设为S1时，S1＞S2。
其他摘要	半导体激光装置(1)具备以第一导电侧半导体层(100)、活性层(300)、第二导电侧半导体层(200)的顺序层叠而成的层叠结构体，所述半导体激光装置进行横模多模振荡，层叠结构体具备：前端面(1a)；后端面(1b)；将前端面(1a)与后端面(1b)用作谐振器反射镜的光波导路，第二导电侧半导体层(200)，从活性层(300)近的一侧，依次具有第一半导体层(210)和第二半导体层(220)，针对光波导路的电流注入区域的宽度，由第二半导体层(220)规定，电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比前端面(1a)以及后端面(1b)位于内侧，电流注入区域具有宽度发生变化的宽度变化区域，将宽度变化区域的前端面(1a)侧的宽度设为S1，宽度变化区域的后端面(1b)侧的宽度设为S1时，S1＞S2。
主权项	一种半导体激光装置，具备层叠结构体，该层叠结构体以第一导电侧半导体层、活性层、第二导电侧半导体层的顺序层叠而成，所述半导体激光装置进行横模多模振荡，所述层叠结构体具备：前端面，激光的射出端面；后端面，与所述前端面相反侧的面；以及光波导路，将所述前端面与所述后端面用作谐振器反射镜，所述第二导电侧半导体层，从所述活性层近的一侧，依次具有第一半导体层和第二半导体层，针对所述光波导路的电流注入区域的宽度，由所述第二半导体层规定，所述电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比所述前端面以及所述后端面位于内侧，所述电流注入区域，具有宽度发生变化的宽度变化区域，将所述宽度变化区域的所述前端面侧的宽度设为S1，所述宽度变化区域的所述后端面侧的宽度设为S2时，S1＞S2。
申请日期	2017-05-17
专利号	CN109417274A
专利状态	申请中
申请号	CN201780039787.4
公开（公告）号	CN109417274A
IPC 分类号	H01S5/16 \| B23K26/21
专利代理人	韩丁
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55033
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	池户教夫,中谷东吾,冈口贵大,等. 半导体激光装置、半导体激光模块及熔接用激光光源系统. CN109417274A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109417274A.PDF（3090KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文