| InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备 | |
| 郭可飞 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 王兴 |
| 2023 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 关键词 | 单光子探测 单光子雪崩光电二极管阵列 InGaAs/InP Zn 扩散 雪崩击穿概率 |
| 学科领域 | 电子物理学 |
| 页数 | 86 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/96607 |
| 专题 | 研究生部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭可飞. InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备[D]. 北京. 中国科学院大学,2023. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| InGaAs_InP单光子雪崩光电二极管（4157KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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