一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用

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	一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用
其他题名	一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用
	冯兴联; 肖成峰; 郑兆河; 沈燕; 苏建; 朱振
	2017-08-01
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2017-08-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置，包括在轨道上顺次设置的第一扩散加热炉和第二扩散加热炉；所述第一扩散加热炉为一端封闭的槽形，所述第二扩散加热炉呈中空环形；在所述轨道的一端，且在第二扩散加热炉的后方设置有支架，在所述支架上安装有一端封闭、一端开口设置的石英管。在所述石英管内、纵向顺次设置有第一热电偶和第二热电偶，石英舟的前半部设置在第一热电偶上，石英舟的后半部设置在第二热电偶上。本发明所述的装置采用扩散源与芯片分开并采用双温区控制扩散源和芯片的温度，扩散过程中分别控制以确保炉温的稳定；本发明防止激光器芯片表层GaAs在扩散温度下大量地分解，得到表面光亮,Zn浓度分布均匀,重复性好,无损伤的高浓度表面层的特点。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置，包括在轨道上顺次设置的第一扩散加热炉和第二扩散加热炉；所述第一扩散加热炉为一端封闭的槽形，所述第二扩散加热炉呈中空环形；在所述轨道的一端，且在第二扩散加热炉的后方设置有支架，在所述支架上安装有一端封闭、一端开口设置的石英管。在所述石英管内、纵向顺次设置有第一热电偶和第二热电偶，石英舟的前半部设置在第一热电偶上，石英舟的后半部设置在第二热电偶上。本发明所述的装置采用扩散源与芯片分开并采用双温区控制扩散源和芯片的温度，扩散过程中分别控制以确保炉温的稳定；本发明防止激光器芯片表层GaAs在扩散温度下大量地分解，得到表面光亮,Zn浓度分布均匀,重复性好,无损伤的高浓度表面层的特点。
申请日期	2013-12-13
专利号	CN104716027B
专利状态	授权
申请号	CN201310682698.5
公开（公告）号	CN104716027B
IPC 分类号	H01L21/223
专利代理人	吕利敏
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49862
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	冯兴联,肖成峰,郑兆河,等. 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用. CN104716027B[P]. 2017-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104716027B.PDF（384KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文