Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置 | |
其他题名 | 一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置 |
朱振; 徐现刚; 张新; 苏建 | |
2016-06-29 | |
专利权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
公开日期 | 2016-06-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法,具体步骤包括:A、测定扩散Zn半导体激光器IV曲线中电流值对应的电压V;B、测定不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器I1V1曲线中电流值对应的开启电压Von;C、V和开启电压Von判定Zn扩散程度,如果Von-0.05≤V≤Von,则认定Zn还未进入所述有源区或者刚进入所述有源区,量子阱混杂程度不够,Zn扩散程度不足;如果Von-0.15≤V<Von-0.05,则认定Zn扩散程度恰好;如果V<Von-0.15,则认定Zn进入下限制层,Zn扩散程度较重,对其器件性能产生影响。本发明有效检测Zn扩散程度,保证量子阱充分混杂,提高半导体激光器的长期可靠性;避免Zn杂质过多进入下限制层,避免影响增益区的电流分布。 |
其他摘要 | 本发明涉及一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法,具体步骤包括:A、测定扩散Zn半导体激光器IV曲线中电流值对应的电压V;B、测定不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器I1V1曲线中电流值对应的开启电压Von;C、V和开启电压Von判定Zn扩散程度,如果Von-0.05≤V≤Von,则认定Zn还未进入所述有源区或者刚进入所述有源区,量子阱混杂程度不够,Zn扩散程度不足;如果Von-0.15≤V<Von-0.05,则认定Zn扩散程度恰好;如果V<Von-0.15,则认定Zn进入下限制层,Zn扩散程度较重,对其器件性能产生影响。本发明有效检测Zn扩散程度,保证量子阱充分混杂,提高半导体激光器的长期可靠性;避免Zn杂质过多进入下限制层,避免影响增益区的电流分布。 |
主权项 | 一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法,所述扩散Zn半导体激光器包括欧姆接触层、上限制层、有源区、下限制层、衬底、扩Zn窗口区,露出的所述扩散Zn半导体激光器的腔面附近区域为所述扩Zn窗口区,其特征在于,具体步骤包括: A、测定所述扩散Zn半导体激光器IV曲线中电流值对应的电压V,具体步骤包括: (1)设定测试基底温度范围为20-30℃;测试夹具夹持所述扩散Zn半导体激光器,即:测试夹具正向电流端口与所述扩散Zn半导体激光器正极接触,测试夹具反向电流端口与所述扩散Zn半导体激光器负极接触;设定扫描电压初始值、扫描电压最终值及测试点数,所述扫描电压初始值取值范围为0-1V,所述扫描电压最终值取值范围为2-3V,所述测试点数取值范围为100-1000,运行现有的IV曲线测试软件,IV曲线测试软件将自动得到所述扫描电压下的电流值,并在输出设备上显示IV数据及IV曲线;所述IV曲线横坐标表示电压,单位为伏;所述IV曲线纵坐标表示电流的自然对数,单位为安; (2)设定电流值,所述电流值的取值范围为0.001-1mA,在步骤(1)得到的所述IV曲线中得到所述电流值对应的电压V; B、测定不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器I1V1曲线中电流值对应的开启电压Von,具体步骤包括: (3)设定测试基底温度范围为20-30℃;测试夹具夹持所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器,即:测试夹具正向电流端口与所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器正极接触,测试夹具反向电流端口与所述不扩散Zn且无其他电流旁路的半导体激光器负极接触;设定扫描电压初始值、扫描电压最终值及测试点数,所述扫描电压初始值取值范围为0-1V,所述扫描电压最终值取值范围为2-3V,所述测试点数取值范围为100-1000,运行现有的IV曲线测试软件,IV曲线测试软件将自动得到所述扫描电压下的电流值,并在输出设备上显示I1V1数据及I1V1曲线;所述I1V1曲线横坐标表示电压,单位为伏;所述I1V1曲线纵坐标表示电流的自然对数,单位为安; (4)设定电流值,所述电流值的取值范围为0.001-1mA,在步骤(3)得到的所述I1V1曲线中得到所述电流值对应的开启电压Von; C、根据步骤A得到的电压V和步骤B得到的开启电压Von判定所述Zn扩散半导体激光器窗口区Zn扩散程度,具体步骤包括: 如果Von-0.05≤V≤Von,则认定Zn还未进入所述有源区或者刚进入所述有源区,量子阱混杂程度不够,Zn扩散程度不足;如果Von-0.15≤V<Von-0.05,则认定Zn扩散程度恰好;如果V<Von-0.15,则认定Zn进入下限制层,Zn扩散程度较重,对其器件性能产生影响。 |
申请日期 | 2014-12-02 |
专利号 | CN105720480A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410722429.1 |
公开(公告)号 | CN105720480A |
IPC 分类号 | H01S5/34 |
专利代理人 | 吕利敏 |
代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66835 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱振,徐现刚,张新,等. 一种检测扩散Zn半导体激光器窗口区Zn扩散程度的方法及其实现装置. CN105720480A[P]. 2016-06-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105720480A.PDF(123KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[朱振]的文章 |
[徐现刚]的文章 |
[张新]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[朱振]的文章 |
[徐现刚]的文章 |
[张新]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[朱振]的文章 |
[徐现刚]的文章 |
[张新]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论