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一种半导体激光器
其他题名一种半导体激光器
朱振; 张新; 肖成峰; 李沛旭; 孙素娟; 夏伟; 徐现刚
2019-06-11
专利权人山东华光光电子股份有限公司
公开日期2019-06-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种半导体激光器,其非吸收窗口的制作步骤为:a)通过光刻技术在介质掩膜上形成周期性的掩膜沟槽;b)在介质掩膜上生长固态扩散膜,并在固态扩散膜上覆盖一层介质保护膜;c)将外延片置入扩散炉中进行高温扩散,扩散温度为500‑600℃;d)去除介质掩膜、固态扩散膜及介质保护膜。高温下,固态扩散膜中的Zn原子会扩散进入外延层,诱导量子阱附近的Al、Ga原子混杂,从而增加扩散区量子阱的带隙,形成非吸收窗口,使用固态扩锌形成非吸收窗口技术,提高腔面的抗烧毁能力,工艺更为稳定和均匀,而且安全性也更高。
其他摘要一种半导体激光器,其非吸收窗口的制作步骤为:a)通过光刻技术在介质掩膜上形成周期性的掩膜沟槽;b)在介质掩膜上生长固态扩散膜,并在固态扩散膜上覆盖一层介质保护膜;c)将外延片置入扩散炉中进行高温扩散,扩散温度为500‑600℃;d)去除介质掩膜、固态扩散膜及介质保护膜。高温下,固态扩散膜中的Zn原子会扩散进入外延层,诱导量子阱附近的Al、Ga原子混杂,从而增加扩散区量子阱的带隙,形成非吸收窗口,使用固态扩锌形成非吸收窗口技术,提高腔面的抗烧毁能力,工艺更为稳定和均匀,而且安全性也更高。
申请日期2017-12-05
专利号CN109873298A
专利状态申请中
申请号CN201711272330.6
公开(公告)号CN109873298A
IPC 分类号H01S5/34
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72469
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
朱振,张新,肖成峰,等. 一种半导体激光器. CN109873298A[P]. 2019-06-11.
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CN109873298A.PDF(795KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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