Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体 | |
| 其他题名 | 化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体 |
| 藤冈洋; 上野耕平 | |
| 2019-04-16 | |
| 专利权人 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 公开日期 | 2019-04-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明的化合物半导体具有5×1019cm‑3以上的高电子浓度，显示46cm2/V·s以上的电子迁移率，且显示低电阻性，由此构成高性能的半导体器件。根据本发明，提供一种能在室温～700℃下在大面积的衬底上成膜的n型导电型13族氮化物半导体。 |
| 其他摘要 | 本发明的化合物半导体具有5×1019cm‑3以上的高电子浓度，显示46cm2/V·s以上的电子迁移率，且显示低电阻性，由此构成高性能的半导体器件。根据本发明，提供一种能在室温～700℃下在大面积的衬底上成膜的n型导电型13族氮化物半导体。 |
| 申请日期 | 2017-06-01 |
| 专利号 | CN109643645A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201780053614.8 |
| 公开（公告）号 | CN109643645A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | C23C14/06 | C23C14/34 | H01L21/203 | H01L21/338 | H01L29/778 | H01L29/786 | H01L29/812 | H01L33/32 | H01S5/042 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 石伟 |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92379 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤冈洋,上野耕平. 化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体. CN109643645A[P]. 2019-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109643645A.PDF（3779KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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