氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件

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	氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件
其他题名	氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件
	藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇
	2019-07-19
专利权人	国立大学法人大阪大学
公开日期	2019-07-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种氮化物半导体基板的制造技术，其即使在蓝宝石等廉价基材上也能够大面积制造位错密度充分降低的氮化物半导体基板。一种氮化物半导体基板，其中，在基材上形成的氮化物半导体层通过非掺杂氮化物层与添加有稀土元素作为掺杂材料的稀土元素添加氮化物层进行层叠而形成，位错密度为106cm‑2数量级以下。一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用有机金属气相外延法，在900～1200℃的温度条件下，不从反应容器取出而通过一连串的形成工序来进行下述工序：使GaN、InN、AlN或这些之中的任意两种以上的混晶在基材上生长而形成非掺杂氮化物层的工序；以及形成添加有稀土元素从而置换Ga、In或Al的稀土元素添加氮化物层的工序。
其他摘要	本发明提供一种氮化物半导体基板的制造技术，其即使在蓝宝石等廉价基材上也能够大面积制造位错密度充分降低的氮化物半导体基板。一种氮化物半导体基板，其中，在基材上形成的氮化物半导体层通过非掺杂氮化物层与添加有稀土元素作为掺杂材料的稀土元素添加氮化物层进行层叠而形成，位错密度为10⁶cm^‑2数量级以下。一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用有机金属气相外延法，在900～1200℃的温度条件下，不从反应容器取出而通过一连串的形成工序来进行下述工序：使GaN、InN、AlN或这些之中的任意两种以上的混晶在基材上生长而形成非掺杂氮化物层的工序；以及形成添加有稀土元素从而置换Ga、In或Al的稀土元素添加氮化物层的工序。
申请日期	2017-11-20
专利号	CN110036144A
专利状态	申请中
申请号	CN201780072550
公开（公告）号	CN110036144A
IPC 分类号	C30B29/38 \| C23C16/34 \| C30B25/02 \| H01L21/205 \| H01L33/32 \| H01S5/323
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92428
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	国立大学法人大阪大学
推荐引用方式 GB/T 7714	藤原康文,朱婉新,小泉淳,等. 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件. CN110036144A[P]. 2019-07-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110036144A.PDF（1177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文