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一种激光熔覆强化离心辊的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110396689A, 申请日期: 2019-11-01, 公开日期: 2019-11-01
发明人:  付宇明;  付晨;  张钰;  郑丽娟
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用于蝶形半导体激光器自动耦合封装的管壳夹具装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN109560454B, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
发明人:  段吉安;  卢胜强;  彭晋文;  唐佳;  徐聪;  刘志贤
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利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110344056A, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
发明人:  王菊花;  李建平
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Continuous diode laser stimulated Raman gain/loss vibrational microscope 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10433731, 申请日期: 2019-10-08, 公开日期: 2019-10-08
发明人:  ALFANO, ROBERT R.;  SHI, LINGYAN;  BUDANSKY, YURY
收藏  |  浏览/下载:68/0  |  提交时间:2019/12/23
基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  杨冠卿;  梁平;  徐波;  陈涌海;  王占国
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窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  杨冠卿;  梁平;  徐波;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(949Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:156/0  |  提交时间:2019/12/26
基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:145/0  |  提交时间:2019/12/26