基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器

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	基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器
其他题名	基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器
	王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
	2019-09-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-09-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印技术在GaInP材料上压印出光栅图形；将压印好的样品送入ICP设备中，进行一次刻蚀，反应气体为CH4/H2/Ar；对样品进行二次刻蚀，反应气体为H2/Ar，刻蚀出光栅图形；使用氧等离子体对样品进行处理，以清洁沉积在刻蚀表面和侧壁的残留聚合物；将样品放入负胶去膜剂中加热处理8‑15分钟，用去离子水反复冲洗，最后用异丙醇清洗若干次，完成清洁步骤。本工艺采用CH4/H2/Ar和H2/Ar混合气体对GaInP光栅进行两步刻蚀，经过优化各项刻蚀参数，可有效去除刻蚀表面和侧壁非挥发性刻蚀产物，得到优良的刻蚀结果。
其他摘要	一种基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印技术在GaInP材料上压印出光栅图形；将压印好的样品送入ICP设备中，进行一次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar；对样品进行二次刻蚀，反应气体为H₂/Ar，刻蚀出光栅图形；使用氧等离子体对样品进行处理，以清洁沉积在刻蚀表面和侧壁的残留聚合物；将样品放入负胶去膜剂中加热处理8‑15分钟，用去离子水反复冲洗，最后用异丙醇清洗若干次，完成清洁步骤。本工艺采用CH₄/H₂/Ar和H₂/Ar混合气体对GaInP光栅进行两步刻蚀，经过优化各项刻蚀参数，可有效去除刻蚀表面和侧壁非挥发性刻蚀产物，得到优良的刻蚀结果。
申请日期	2016-07-13
专利号	CN106099637B
专利状态	授权
申请号	CN201610550266.2
公开（公告）号	CN106099637B
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49491
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王海丽,赵懿昊,张奇,等. 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN106099637B[P]. 2019-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106099637B.PDF（944KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文