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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(949Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:117/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(949Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:147/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种室温下测量垂直腔面发射激光器腔模劈裂的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103257036A, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 俞金玲; 陈涌海; 程树英 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种生长可控量子点和量子环的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101567521B, 申请日期: 2011-02-02, 公开日期: 2011-02-02 发明人: 赵暕; 陈涌海; 王占国; 徐波 Adobe PDF(961Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101212125A, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2008-07-02 发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(748Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101211989A, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2008-07-02 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1054Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101212006A, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2008-07-02 发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(518Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100373534C, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1892986A, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2007-01-10 发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2020/01/18 |