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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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