Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 | |
其他题名 | 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 |
王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇 | |
2019-09-24 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2019-09-24 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器,该方法包括:通过紫外纳米压印工艺,在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形;将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar;将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀,通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数,可以得到优良的光栅形貌。 |
其他摘要 | 一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器,该方法包括:通过紫外纳米压印工艺,在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形;将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar;将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀,通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数,可以得到优良的光栅形貌。 |
申请日期 | 2016-07-13 |
专利号 | CN106025795B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201610550299.7 |
公开(公告)号 | CN106025795B |
IPC 分类号 | H01S5/12 |
专利代理人 | 任岩 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49487 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海丽,赵懿昊,张奇,等. 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN106025795B[P]. 2019-09-24. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106025795B.PDF(853KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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