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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器
其他题名基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器
王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
2019-09-24
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2019-09-24
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器,该方法包括:通过紫外纳米压印工艺,在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形;将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar;将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀,通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数,可以得到优良的光栅形貌。
其他摘要一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器,该方法包括:通过紫外纳米压印工艺,在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形;将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar;将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀,反应气体为CH4/H2/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀,通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数,可以得到优良的光栅形貌。
申请日期2016-07-13
专利号CN106025795B
专利状态授权
申请号CN201610550299.7
公开(公告)号CN106025795B
IPC 分类号H01S5/12
专利代理人任岩
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49487
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王海丽,赵懿昊,张奇,等. 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN106025795B[P]. 2019-09-24.
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