窄脊半导体器件的制备方法

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	窄脊半导体器件的制备方法
其他题名	窄脊半导体器件的制备方法
	杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
	2019-09-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-09-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
其他摘要	一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
申请日期	2017-01-22
专利号	CN106785911B
专利状态	授权
申请号	CN201710054287.X
公开（公告）号	CN106785911B
IPC 分类号	H01S5/223
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49489
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨冠卿,梁平,徐波,等. 窄脊半导体器件的制备方法. CN106785911B[P]. 2019-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785911B.PDF（949KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文