利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺

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	利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺
其他题名	利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺
	王菊花; 李建平
	2019-10-18
专利权人	河北瑞驰伟业科技有限公司
公开日期	2019-10-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺，使用激光同轴送粉器将熔覆合金材料送入铜质基体表面，同时使用光纤激光器或光纤耦合半导体激光器进行逐层高速激光熔覆，其中激光器在熔覆操作过程的工艺参数为：聚焦镜焦距为250～300mm、熔覆功率为2000～8000W、光斑直径为0.3～2mm、熔覆扫描速率为100～400mm/s、搭接率为65％。获得的熔覆层制备工艺，通过利用具有高速扫描速率的激光器，配合特定的熔覆合金粉末，确定高速激光器的工艺参数，在不需后续其它处理的前提下，能够在铜质基体表面形成组织致密、无裂纹、无气孔，稀释率极低的熔覆层，并与铜质基体表面能形成良好的冶金结合。
其他摘要	本发明公开了一种利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺，使用激光同轴送粉器将熔覆合金材料送入铜质基体表面，同时使用光纤激光器或光纤耦合半导体激光器进行逐层高速激光熔覆，其中激光器在熔覆操作过程的工艺参数为：聚焦镜焦距为250～300mm、熔覆功率为2000～8000W、光斑直径为0.3～2mm、熔覆扫描速率为100～400mm/s、搭接率为65％。获得的熔覆层制备工艺，通过利用具有高速扫描速率的激光器，配合特定的熔覆合金粉末，确定高速激光器的工艺参数，在不需后续其它处理的前提下，能够在铜质基体表面形成组织致密、无裂纹、无气孔，稀释率极低的熔覆层，并与铜质基体表面能形成良好的冶金结合。
主权项	一种利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺，其特征在于：使用激光同轴送粉器将熔覆合金材料送入铜质基体表面，同时使用激光器进行逐层高速激光熔覆；所述激光器选用光纤激光器或光纤耦合半导体激光器；所述激光器在熔覆操作过程的工艺参数为：聚焦镜焦距为250～300mm、熔覆功率为2000～8000W、光斑直径为0.3～2mm、熔覆扫描速率为100～400mm/s、搭接率为65％。
申请日期	2019-08-19
专利号	CN110344056A
专利状态	申请中
申请号	CN201910762858.4
公开（公告）号	CN110344056A
IPC 分类号	C23C24/10 \| C22C30/00
专利代理人	檀文礼
代理机构	北京科石知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57262
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河北瑞驰伟业科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王菊花,李建平. 利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺. CN110344056A[P]. 2019-10-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110344056A.PDF（1258KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文