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| 利用高速激光熔覆技术在铜质基体表面制备熔覆层的工艺 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110344056A, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18 发明人: 王菊花; 李建平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 发明人: 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢
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| 一种基于深度学习的农产品激光打标与干燥设备 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110170748A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27 发明人: 陈姝; 林群富; 黄文开; 陈嘉澍; 钟天明; 沈向阳; 丁力行; 夏扬凯; 谢捷凯; 凌轩; 熊平原; 李金成; 罗玉和; 王毅; 梁欣棋
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| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN110137801A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 发明人: 葛永晖; 刘旺平; 曹阳; 王群; 吕蒙普; 胡加辉; 李鹏
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