一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法

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	一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
其他题名	一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
	应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢
	2019-09-20
专利权人	厦门大学
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
其他摘要	本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
主权项	一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长电流扩展层，然后采用光刻和刻蚀，制作出图形化的电流扩展层单元，再在电流扩展层单元的周围制作电流限制层，在电流限制层上制作p金属电极，p金属电极与电流扩展层单元电连接，在电流扩展层单元上方制作底部介质膜DBR；步骤S2，在制作好底部介质膜DBR的样品上制作金属层，作为电镀的种子层，之后采用光刻和电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；步骤S3，使用胶键合技术将金属基底固定在临时基板上从而将样品转移到临时基板上，并利用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，激光剥离时，无电镀金属基底的区域的GaN基薄膜会发生分裂，形成碎片，从而使GaN基薄膜成功自分裂，实现器件分离；步骤S4，去除外延片中的缓冲层、u-GaN层以及一部分n-GaN层，再制作n金属电极和顶部介质膜DBR；步骤S5，去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。
申请日期	2019-07-08
专利号	CN110265864A
专利状态	申请中
申请号	CN201910608744.4
公开（公告）号	CN110265864A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/183
专利代理人	何建华
代理机构	厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55545
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	应磊莹,王灿,张保平,等. 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法. CN110265864A[P]. 2019-09-20.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265864A.PDF（487KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文