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| 全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03
发明人: 汪韬 ; 高贵龙; 何凯; 闫欣; 田进寿; 李少辉; 尹飞; 辛丽伟
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| 一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人: 万枫; 熊永华; 岳爱文; 王任凡; 曾笔鉴
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| 一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
发明人: 万枫; 熊永华; 岳爱文; 王任凡; 曾笔鉴
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| 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910594755.1, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-11-01
发明人: 汪韬; 高贵龙; 何凯; 闫欣; 田进寿; 李少辉; 尹飞; 辛丽伟
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| 一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105429002B, 申请日期: 2018-10-19, 公开日期: 2018-10-19
发明人: 仇伯仓; 胡海
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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
发明人: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰; 黄永清; 任晓敏
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| 一种半导体激光器制作方法和结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105356296B, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
发明人: 万枫; 熊永华; 王任凡; 罗飚
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| 一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107026390A, 申请日期: 2017-08-08, 公开日期: 2017-08-08
发明人: 王俊; 马星; 成卓; 胡海洋; 杨泽园; 樊宜斌; 张然; 黄永清; 任晓敏
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| 半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
发明人: 池田 昌夫; 森田 悦男
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| 半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2807250B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-10-08
发明人: 鈴木 真理子; 板谷 和彦; 石川 正行; 波多腰 玄一; 渡辺 幸雄
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