Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 鈴木 真理子; 板谷 和彦; 石川 正行; 波多腰 玄一; 渡辺 幸雄 | |
| 1998-07-24 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1998-10-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To enhance an element characteristic and a yield by specifying a relationship of individual compositions of y, z of Al in a first In1-w(Ga1-yAly)wP clad layer of a second conductivity type and a second ln1-w(Ga1-zAlz)wP clad layer of the second conductivity type. CONSTITUTION:A relationship of individual compositions y, z of Al in a first In1-w(Ga1-yAly)wP clad layer 16 of a second conductivity type and a second In1-w(Ga1-zAlz)wP clad layer 17 is set to 0.6<=y |
| 其他摘要 | 目的：通过指定第二导电类型的第一In1-w（Ga1-yAly）wP包层和第二ln1-w（Ga1）的Al的y，z的各个组成的关系来增强元素特性和产率。 -zAlz）第二导电类型的wP包层。组成：第二导电类型的第一In1-w（Ga1-yAly）wP包层16和第二In1-w（Ga1-zAlz）wP包层17中的Al的各个组成y，z的关系设定为0.6 <= Y |
| 申请日期 | 1989-02-22 |
| 专利号 | JP2807250B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1989040201 |
| 公开（公告）号 | JP2807250B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S | H01S5/223 | H01S5/22 | H01S5/32 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 外川 英明 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77632 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 真理子,板谷 和彦,石川 正行,等. 半導体レーザ装置. JP2807250B2[P]. 1998-07-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2807250B2.PDF（63KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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