一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置

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	一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置
其他题名	一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置
	王俊; 马星; 成卓; 胡海洋; 杨泽园; 樊宜斌; 张然; 黄永清; 任晓敏
	2017-08-08
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2017-08-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。
其他摘要	本发明提供一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。
申请日期	2017-03-15
专利号	CN107026390A
专利状态	申请中
申请号	CN201710154807.4
公开（公告）号	CN107026390A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	汤财宝
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92054
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,马星,成卓,等. 一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置. CN107026390A[P]. 2017-08-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107026390A.PDF（905KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文