一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法

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	一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法
其他题名	一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法
	万枫; 熊永华; 岳爱文; 王任凡; 曾笔鉴
	2019-08-20
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2019-08-20
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于侧向P‑I‑N结构的电吸收激光器及其制造方法。其中，调制器和激光器生长于同一衬底上，激光器的量子阱区是由一个或者多个量子阱垂直叠加生长而成；调制器的量子阱区是由一个或者多个量子阱侧向叠加生长而成，其中，调制器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱宽度和激光器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱叠加高度相同；调制器的P电极接触层和N电极接触层位于调制器的量子阱区的左右两侧，与调制器的量子阱区构成侧向P‑I‑N结构。本发明的调制器采用侧向P‑I‑N结构，其供电方式为侧向供电，避免了衬底参与到电流注入过程，因此，可以有效的减少寄生电容的产生，改善调制带宽。
其他摘要	本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于侧向P‑I‑N结构的电吸收激光器及其制造方法。其中，调制器和激光器生长于同一衬底上，激光器的量子阱区是由一个或者多个量子阱垂直叠加生长而成；调制器的量子阱区是由一个或者多个量子阱侧向叠加生长而成，其中，调制器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱宽度和激光器的量子阱区在垂直方向上的各量子阱叠加高度相同；调制器的P电极接触层和N电极接触层位于调制器的量子阱区的左右两侧，与调制器的量子阱区构成侧向P‑I‑N结构。本发明的调制器采用侧向P‑I‑N结构，其供电方式为侧向供电，避免了衬底参与到电流注入过程，因此，可以有效的减少寄生电容的产生，改善调制带宽。
申请日期	2016-08-26
专利号	CN106253055B
专利状态	授权
申请号	CN201610742142.4
公开（公告）号	CN106253055B
IPC 分类号	H01S5/34
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49455
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	万枫,熊永华,岳爱文,等. 一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法. CN106253055B[P]. 2019-08-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106253055B.PDF（1414KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文