Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 池田 昌夫; 森田 悦男 | |
| 1998-09-04 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1998-11-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a complete crystal under an optimum MOCVD condition at 680 deg.C and to make an oscillation wavelength short by a method wherein individual layers constituting an AlGaInP-based laser are grown by using a compound semiconductor substrate where a crystal plane tilted at a prescribed angle from a 111B crystal plane is used as a main face. CONSTITUTION:An n-type GaAs buffer layer 12, a first clad layer 13, an active layer 14, a second clad layer 15, a P-type GaInP cap layer 16 and a P-type GaAs cap layer 17 are grown, by MOCVD under an optimum condition, on an n-type GaAs substrate 11 where a crystal plane tilted at 2 deg. is used as a main face and which is doped with Si. Then, a Ti/Pt/Au layer 18 and a stripe- shaped Au layer 19 are formed; ions are implanted; a high-resistance region 21 is formed. An oscillation wavelength of this DH semiconductor laser is 649nm by a pulse operation at room temperature and is made shorter by 30nm or above. |
| 其他摘要 | 目的：为了在680℃下在最佳MOCVD条件下获得完整的晶体，并通过其中通过使用化合物半导体衬底生长构成AlGaInP基激光器的各个层的方法来使振荡波长短路，其中晶体面倾斜使用来自111B晶面的规定角度作为主面。结构：通过MOCVD法生长n型GaAs缓冲层12，第一覆盖层13，有源层14，第二覆盖层15，P型GaInP覆盖层16和P型GaAs覆盖层17在最佳条件下，在其中倾斜2度的晶面的n型GaAs衬底11上，被用作主面，并且掺杂有Si。然后，形成Ti / Pt / Au层18和条形Au层19;离子注入;形成高电阻区域21。该DH半导体激光器的振荡波长通过在室温下的脉冲操作为649nm，并且缩短30nm以上。 |
| 申请日期 | 1988-09-02 |
| 专利号 | JP2821600B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988219741 |
| 公开（公告）号 | JP2821600B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88287 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 昌夫,森田 悦男. 半導体レーザ. JP2821600B2[P]. 1998-09-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2821600B2.PDF（31KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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