电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法

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	电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法
其他题名	电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法
	王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰; 黄永清; 任晓敏
	2018-08-17
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2018-08-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
其他摘要	本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
申请日期	2018-02-06
专利号	CN108418095A
专利状态	授权
申请号	CN201810119727.X
公开（公告）号	CN108418095A
IPC 分类号	H01S5/34 \| C23C16/30 \| C23C16/04
专利代理人	王莹 \| 吴欢燕
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92229
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,胡海洋,成卓,等. 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法. CN108418095A[P]. 2018-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108418095A.PDF（678KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文