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高功率半导体激光阵列的高温特性机理 期刊论文
发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 1158-1164
作者:  李波;  王贞福;  仇伯仓;  杨国文;  李特;  赵宇亮;  刘育衔;  王刚;  白少博;  杜宇琦
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高功率半导体激光阵列  高温  微通道  电光转化效率  能量损耗分布  
高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响 期刊论文
光子学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 9
作者:  李波;  王贞福;  仇伯仓;  杨国文;  李特;  赵宇亮;  刘育衔;  王刚;  白少博
Adobe PDF(2555Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：201/2  |  提交时间：2020/10/27
高功率半导体激光阵列  独立发光点  应变  微通道  光电特性  
半导体激光芯片外延结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104393487B, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
发明人:  仇伯仓;  胡海
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2019/12/24
一种高功率准连续半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209313194U, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
发明人:  李青民;  孙丞;  仇伯仓;  李波
Adobe PDF(501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/12/24
一种外延结构及其光栅结构制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105429003B, 申请日期: 2019-08-13, 公开日期: 2019-08-13
发明人:  仇伯仓;  胡海
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2019/12/26
一种外延结构及其光栅结构制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105429003B, 申请日期: 2019-08-13, 公开日期: 2019-08-13
发明人:  仇伯仓;  胡海
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一种半导体激光芯片制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109672088A, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
发明人:  仇伯仓
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一种高功率准连续半导体激光器芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109616869A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
发明人:  李青民;  孙丞;  仇伯仓;  李波
Adobe PDF(510Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/01/13
一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105429002B, 申请日期: 2018-10-19, 公开日期: 2018-10-19
发明人:  仇伯仓;  胡海
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一种外延结构及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105390936B, 申请日期: 2018-06-15, 公开日期: 2018-06-15
发明人:  仇伯仓;  胡海
Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/12/26