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半导体激光器及其生产方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100452582C, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
发明人:  牧田幸治;  足立秀人
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半導体レーザ装置の実装方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4087594B2, 申请日期: 2008-02-29, 公开日期: 2008-05-21
发明人:  持田 篤一;  井ノ上 裕人;  中尾 克;  岩田 進裕;  高森 晃;  足立 秀人;  田村 雅敏
Adobe PDF(87Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/12/23
半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006093391A, 申请日期: 2006-04-06, 公开日期: 2006-04-06
发明人:  鹿嶋 孝之;  牧田 幸治;  足立 秀人
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半導體激光器及劈開方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1018126A, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-08-27
发明人:  木戶口勛;  足立秀人;  熊渕康仁
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半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23
发明人:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃
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半导体激光器及劈开方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1129218C, 申请日期: 2003-11-26, 公开日期: 2003-11-26
发明人:  木户口勳;  足立秀人;  熊渕康仁
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半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1095231C, 申请日期: 2002-11-27, 公开日期: 2002-11-27
发明人:  足立秀人;  木户口勳;  熊渕康仁
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半導体レーザ装置の実装方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002217480A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02
发明人:  持田 篤一;  井ノ上 裕人;  中尾 克;  岩田 進裕;  高森 晃;  足立 秀人;  田村 雅敏
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半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃;  萬濃 正也;  木戸口 勲;  足立 秀人;  石橋 明彦;  福久 敏哉;  熊渕 康仁
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
发明人:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司
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