OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
半導體激光器及劈開方法
其他题名半導體激光器及劈開方法
木戶口勛; 足立秀人; 熊渕康仁
2004-08-27
专利权人松下電器產業株式會社
公开日期2004-08-27
授权国家中国香港
专利类型发明申请
摘要在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中,该包层结构包括一可饱和吸收层,且该可饱和吸收层由InGaAsP形成。
其他摘要在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中,该包层结构包括一可饱和吸收层,且该可饱和吸收层由InGaAsP形成。
申请日期1998-11-16
专利号HK1018126A
专利状态失效
申请号HK98112049
公开(公告)号HK1018126A
IPC 分类号H01S5/02 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S5/065 | H01L | H01S
专利代理人-
代理机构永新專利商標代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91720
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器產業株式會社
推荐引用方式
GB/T 7714
木戶口勛,足立秀人,熊渕康仁. 半導體激光器及劈開方法. HK1018126A[P]. 2004-08-27.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN1183177A.PDF(1012KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[木戶口勛]的文章
[足立秀人]的文章
[熊渕康仁]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[木戶口勛]的文章
[足立秀人]的文章
[熊渕康仁]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[木戶口勛]的文章
[足立秀人]的文章
[熊渕康仁]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。