Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 | |
| 其他题名 | 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 |
| 大戶口勳; 足立秀人; 萬濃正也; 福久敏哉; 高森晃 | |
| 2004-04-23 | |
| 专利权人 | 松下電器產業株式會社 |
| 公开日期 | 2004-04-23 |
| 授权国家 | 中国香港 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。 |
| 其他摘要 | 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器，包括一具有一量子阱层的一激活层和一夹住该激活层的包层机构， 其中该包层机构包括多个包层、一可饱和吸收层和一用于提高该可饱和吸收层的约束因数的光导层，该可饱和吸收层和该光导层位于这些包层之间，该可饱和吸收层和该光导层被形成在这些包层之一和该激活层之间，及 该可饱和吸收层的能隙小于该激活层的量子阱层的基态之间的能隙30至200mev。 |
| 申请日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | HK1017161A1 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | HK99102089 |
| 公开（公告）号 | HK1017161A1 |
| IPC 分类号 | H01S3/098 | H01S5/347 | G11B7/125 | H01S5/06 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/32 | H01S5/065 | H01S5/20 | H01S |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 永新專利商標代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44942 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大戶口勳,足立秀人,萬濃正也,等. 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置. HK1017161A1[P]. 2004-04-23. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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