Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及劈开方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及劈开方法 |
| 木户口勳; 足立秀人; 熊渕康仁 | |
| 2003-11-26 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2003-11-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InGaAs P形成。 |
| 其他摘要 | 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InGaAs P形成。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器，包括一活性层和其间插入该活性层的一包层结构， 其中该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InxGa1-xAsyP1-y(o＜x＜1，o≤y≤1)形成。 |
| 申请日期 | 1997-02-28 |
| 专利号 | CN1129218C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN97190228.3 |
| 公开（公告）号 | CN1129218C |
| IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/065 | H01S5/223 | H01S5/30 | H01S3/00 | H01L21/304 |
| 专利代理人 | 韩宏 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45498 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木户口勳,足立秀人,熊渕康仁. 半导体激光器及劈开方法. CN1129218C[P]. 2003-11-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1129218C.PDF（1531KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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