Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及其生产方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及其生产方法 |
| 牧田幸治; 足立秀人 | |
| 2009-01-14 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2009-01-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。 |
| 其他摘要 | 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。 |
| 授权日期 | 2009-01-14 |
| 申请日期 | 2004-08-17 |
| 专利号 | CN100452582C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410057538.2 |
| 公开（公告）号 | CN100452582C |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | C23C14/35 | C23C16/511 | H01L21/314 | H01S5/22 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 王英 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40165 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牧田幸治,足立秀人. 半导体激光器及其生产方法. CN100452582C[P]. 2009-01-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100452582C.PDF（1040KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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