Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置の実装方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
| 持田 篤一; 井ノ上 裕人; 中尾 克; 岩田 進裕; 高森 晃; 足立 秀人; 田村 雅敏 | |
| 2002-08-02 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2002-08-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇及び残留応力によるレーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子の破損を抑制する半導体レーザ装置の実装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の実装方法は、半導体レーザ素子をサブマウントに加熱圧接した後、接合部材の溶融温度以上まで再度加熱するものである。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光器件的封装方法，其中抑制了由于半导体激光器元件的温度升高和残余应力引起的激光器特性的劣化或半导体激光器元件的损坏。解决方案：在该封装方法中，将半导体激光器元件加热并压力焊接到基座上，然后将再加热重新调节到高于或等于接合构件的熔化温度的温度。 |
| 申请日期 | 2001-01-17 |
| 专利号 | JP2002217480A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001008483 |
| 公开（公告）号 | JP2002217480A |
| IPC 分类号 | G11B7/22 | H01S5/022 | H01L21/52 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69602 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 持田 篤一,井ノ上 裕人,中尾 克,等. 半導体レーザ装置の実装方法. JP2002217480A[P]. 2002-08-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2002217480A.PDF（41KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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