半導体レーザ装置およびその製造方法

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	半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置およびその製造方法
	鹿嶋孝之; 牧田幸治; 足立秀人
	2006-04-06
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2006-04-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】簡便な構成で低アスペクト比のレーザ光が得られる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明のレーザ装置は、n型GaAs基板101の上にn型バッファ層102、n型クラッド層103、GaInP系材料の活性層104、p型第1クラッド層105、p型エッチングストップ層106、リッジ状に加工されたp型第2クラッド層107が順次形成され、さらに、p型第2クラッド層107の側面を覆うようにn型電流ブロック層108が形成され、p型コンタクト層109がその上に形成されている。電流非注入領域となる共振器端面近傍には、Znを拡散させた窓構造の領域110を有し、さらに同じ領域のリッジ斜面または上部では、n型電流ブロック層108およびp型コンタクト層109が除去されている。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光装置，通过简单的结构获得具有低纵横比的激光束。ŽSOLUTION：在激光器件中，n型缓冲层102，n型覆层103，由GaInP材料制成的有源层104，p型第一覆层105，p型蚀刻停止层106在n型GaAs衬底101上依次形成以脊形工作的p型第二覆层107.在激光器件中，形成n型电流阻挡层108，以便涂覆n型GaAs衬底101的侧面。在n型电流阻挡层108上形成p型第二覆盖层107和p型接触层109.在谐振器的端面附近形成具有扩散锌的窗口结构的区域110作为电流非注入区域，n型电流阻挡层108和p型接触层109在相同区域的脊斜面或上部去除。Ž
申请日期	2004-09-24
专利号	JP2006093391A
专利状态	失效
申请号	JP2004276865
公开（公告）号	JP2006093391A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/00
专利代理人	岩橋文雄 \| 坂口智康 \| 内藤浩樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79264
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	鹿嶋孝之,牧田幸治,足立秀人. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2006093391A[P]. 2006-04-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2006093391A.PDF（82KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文