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半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999204889A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
发明人:  塚本 弘範;  谷口 理;  牧野 桜子;  日野 智公;  船戸 健次
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999204883A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
发明人:  日野 智公;  谷口 理;  伊藤 哲
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半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150329A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  中山 典一;  大原 真穂;  金子 由美;  谷口 理;  長井 政春
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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998190154A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
发明人:  石橋 晃;  谷口 理;  日野 智公;  小林 高志;  中野 一志;  中山 典一;  戸田 淳;  塚本 弘範;  牧野 桜子
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997293937A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
发明人:  日野 智公;  谷口 理;  木下 優子;  奥山 浩之;  中野 一志;  岡本 桜子;  石橋 晃
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997246656A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
发明人:  木下 優子;  日野 智公;  谷口 理;  吉田 浩;  奥山 浩之;  中野 一志
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232688A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  谷口 理;  日野 智公;  奥山 浩之;  石橋 晃
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II-VI族化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996018161A, 申请日期: 1996-01-19, 公开日期: 1996-01-19
发明人:  池田 昌夫;  塚本 弘範;  谷口 理;  伊藤 哲;  白石 誠司
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