Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 日野 智公; 谷口 理; 木下 優子; 奥山 浩之; 中野 一志; 岡本 桜子; 石橋 晃 | |
| 1997-11-11 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1997-11-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【課題】 通電時の動作電圧の増加または活性層の劣化を防止し、長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 活性層7とp型ZnSe/ZnTeMQW層13との間の部分、例えばp型ZnSSeキャップ層10とp型ZnSeコンタクト層12との界面にII-VI族化合物半導体からなる電子阻止層、例えばp型Zn1-x Mgx Se電子阻止層11を挿入する。あるいは、活性層7とp型ZnMgSSeクラッド層9との間の部分またはp型ZnMgSSeクラッド層9中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 電子阻止層を挿入し、活性層7とn型ZnMgSSeクラッド層との間の部分またはn型ZnMgSSeクラッド層中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 正孔阻止層を挿入する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光元件，利用该半导体发光元件，当施加电流时工作电压的增加和使用长寿命的II-VI族化合物半导体可以防止有源层的劣化。解决方案：在有源层7和p型之间的部分中插入由II-VI族化合物半导体构成的电子阻挡层，例如p型Zn1-x Mgx Se电子阻挡层。 ZnSe / ZnTe MQW层13，例如p型ZnSSE盖层10和p型ZnSe接触层12之间的界面，或Zn1-x Mgx Sy Se1-y电子阻挡层插入部件中在有源层7和p型ZnMgSSe包层9之间，或在p型ZnMgSSe包层9中，Zn1-x Mgx Sy Se1-y空穴阻挡层插入有源层7和有源层7之间的部分中。 n型ZnMgSSe包层，或n型ZnMgSSe包层。 |
| 申请日期 | 1997-02-28 |
| 专利号 | JP1997293937A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997045673 |
| 公开（公告）号 | JP1997293937A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79224 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野 智公,谷口 理,木下 優子,等. 半導体発光素子. JP1997293937A[P]. 1997-11-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997293937A.PDF（237KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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