半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
其他题名	半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
	冨谷茂隆; 喜嶋悟; 奥山浩之; 谷口理; 塚本弘範
	2000-01-21
专利权人	SONY CORP
公开日期	2000-01-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 p側電極とのコンタクト構造を改善することにより、動作電圧を低下させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型基板の上にn型クラッド層,第1のガイド層,活性層,第2のガイド層,p型クラッド層,ZnSSeキャップ層,ZnSeキャップ層19,組成傾斜超格子層20および低欠陥コンタクト層21を順次積層する。組成傾斜超格子層20はp型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iとp型ZnSe層20b,20d,20f,20h,20jとを交互に積層して形成する。p型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iの厚さは低欠陥コンタクト層21側を厚くする。低欠陥コンタクト層21の厚さは5nm以下とする。格子歪みが緩和され、低欠陥コンタクト層21の欠陥密度が低くなるため、通電直後における動作電圧の上昇が抑制され、動作電圧が低くなる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够通过改善与p侧电极的接触结构来降低工作电压的半导体发光器件。解决方案：n型包覆层，第一引导层，有源层，第二引导层，p型包覆层，ZnSSe覆盖层，ZnSe覆盖层19，n型衬底上的组分渐变超晶格层20。并且依次堆叠低缺陷接触层21。通过交替层叠p型ZnTe层20a，20c，20e，20g和20i以及p型ZnSe层20b，20d，20f，20h和20j来形成渐变组分超晶格层20。 p型ZnTe层20a，20c，20e，20g和20i的厚度使得低缺陷接触层21侧更厚。低缺陷接触层21的厚度为5nm或更小。由于减小了晶格畸变并且低缺陷接触层21的缺陷密度降低，因此抑制了刚通电后的工作电压的上升并降低了工作电压。
申请日期	1998-06-29
专利号	JP2000022276A
专利状态	失效
申请号	JP1998182276
公开（公告）号	JP2000022276A
IPC 分类号	H01L33/40 \| H01L29/15 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/04 \| H01L33/28 \| H01S5/30 \| H01L33/00
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88520
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	冨谷茂隆,喜嶋悟,奥山浩之,等. 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子. JP2000022276A[P]. 2000-01-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000022276A.PDF（61KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文