半導体素子の製造方法

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	半導体素子の製造方法
其他题名	半導体素子の製造方法
	中山典一; 大原真穂; 金子由美; 谷口理; 長井政春
	1999-06-02
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-06-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】亜鉛(Zn)等のII族元素とセレン(Se)等のVI族元素とを含む半導体層のエッチング速度が材料に大きく依存せず、精度良い加工を行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板1の表面にバッファ層2,第1のII-VI族バッファ層3,第2のII-VI族バッファ層4,第1導電型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8,第2導電型クラッド層9,第1の半導体層10,第2の半導体層11,超格子層12およびコンタクト層13を順次エピタキシャル成長させたのち、コンタクト層13の上に帯状パターンのレジスト膜20を形成する。このレジスト膜20をマスクとしてウエットエッチングを行い、コンタクト層13,超格子層12および第2の半導体層11を選択的に除去する。エッチャントとして過酸化水素(H2 O2 )、フッ化水素(HF)および塩酸(HCl)を含む混合液を用いる。
其他摘要	（经修改）要解决的问题：制造能够进行精确加工的半导体器件，而不依赖于含有II族元素的半导体层的蚀刻速率的材料，例如锌（Zn）和VI族元素如硒（Se）提供一种方式。解决方案：提供缓冲层2，第一II-VI缓冲层3，第二II-VI缓冲层4，第一导电类型包层5，第一引导层6，基板1的表面。在有源层7，第二导电层8，第二导电型包层9，第一半导体层10，第二半导体层11，超晶格层12和接触层13依次外延生长后，接触层在基板13上形成具有带状图案的抗蚀剂膜20。使用该抗蚀剂膜20作为掩模进行湿法蚀刻，以选择性地去除接触层13，超晶格层12和第二半导体层11。使用含有过氧化氢（H 2 O 2），氟化氢（HF）和盐酸（HCl）的混合溶液作为蚀刻剂。
申请日期	1997-11-14
专利号	JP1999150329A
专利状态	失效
申请号	JP1997313904
公开（公告）号	JP1999150329A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01L33/06 \| D01D5/30 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| D01F8/14 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84958
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	中山典一,大原真穂,金子由美,等. 半導体素子の製造方法. JP1999150329A[P]. 1999-06-02.

条目包含的文件
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JP1999150329A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文