半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置

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	半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置
其他题名	半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置
	石橋晃; 谷口理; 日野智公; 小林高志; 中野一志; 中山典一; 戸田淳; 塚本弘範; 牧野桜子
	1998-07-21
专利权人	SONY CORP
公开日期	1998-07-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】特性が良好で、信頼性が高く、かつ長寿命の半導体発光素子およびその製造方法ならびにそのような半導体発光素子を発光素子として用いた光記録および/または再生装置を提供する。【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、少なくとも活性層7にうねりを存在させ、p型コンタクト層11、12、13は平坦とする。うねりの高さの標準偏差は例えば1〜3nm程度である。また、半導体発光素子の製造において、クラッド層5、9、光導波層6、8、活性層7、p型コンタクト層11、12、13などを成長させる際のII族元素の分子線の強度に対するVI族元素の分子線の強度の比を、成長させる層に応じて変化させて最適化する。
其他摘要	要解决的问题：提供具有优异特性和长使用寿命的高可靠性半导体发光元件，制造该元件的方法和使用该光元件作为发光元件的光学记录和/或再现装置。解决方案：在使用II-VI化合物半导体的半导体发光元件中，至少活性层7形成为具有凹凸表面，p型接触层11,12和13形成为具有平坦表面。有源层7的凹凸表面的高度的标准偏差被调整为例如约1-3nm。此外，VI族元素的分子束的强度与II族元素的分子束的强度的比率通过根据当包覆层5和9时生长的层改变比率而优化，引导层6和8，有源层7，接触层11,12和13等，用于制造半导体发光元件。
申请日期	1997-10-22
专利号	JP1998190154A
专利状态	失效
申请号	JP1997289724
公开（公告）号	JP1998190154A
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87094
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	石橋晃,谷口理,日野智公,等. 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置. JP1998190154A[P]. 1998-07-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998190154A.PDF（85KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文