半導体装置の製造方法

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	半導体装置の製造方法
其他题名	半導体装置の製造方法
	日野智公; 谷口理; 伊藤哲
	1999-07-30
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-07-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】積層欠陥密度を低く素子寿命を長くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板の上にGaAsよりなるIII-V族バッファ層を介してZnSeよりなる第1のII-VI族バッファ層を成長させる。第1のII-VI族バッファ層を成長させる前に、III-V族バッファ層の表面をRHEED観察における(2×4)砒素安定化面とし、亜鉛の粒子線を照射する。照射量は粒子線強度Pと照射時間tとの積で8×10-4Torr·sec以上、成長表面に到達する粒子の数fと照射時間tとの積で3.5×1017cm-2以上とする。このとき、RHEED観察における方向の倍周期構造は4×から1×に変化する。これにより、III-V族バッファ層中に存在する積層欠陥の密度は5×103 cm-2以下となる。
其他摘要	要解决的问题：在生长II-VI化合物半导体层之前，通过用含有特定剂量的特定金属的II族元素束照射III-V族化合物半导体层来降低堆垛层错密度并改善元件寿命。解决方案：在基板1上层叠III-V族缓冲层2，其上具有第一II-VI族缓冲层3A，第二II-VI族缓冲层3B，第一包层4，第一引导层参照图5，依次层叠有源层6，第二引导层7，第二覆层8，第一半导体层9，第二半导体层10，超晶格半导体层11和接触层12。用由锌，镁，锰，铍，镉和汞组成的组中的至少一种II族元素的粒子束照射III-V族化合物半导体层。剂量至少为8和10-4托。秒。接下来，生长II-VI化合物半导体层。
申请日期	1997-12-26
专利号	JP1999204883A
专利状态	失效
申请号	JP1997361374
公开（公告）号	JP1999204883A
IPC 分类号	H01L21/363 \| H01L21/203 \| H01L33/12 \| G11B7/135 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/04 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87631
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	日野智公,谷口理,伊藤哲. 半導体装置の製造方法. JP1999204883A[P]. 1999-07-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999204883A.PDF（97KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文