中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
单片2波长半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1933265B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12
发明人:  松木义幸;  万浓正也;  福久敏哉;  鹈饲勉
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007142227A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
Adobe PDF(117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007067305A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
Adobe PDF(101Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1901302A, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  福久敏哉;  万浓正也;  古川秀利
Adobe PDF(2453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006287057A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  能米 雅信;  古川 秀利;  萬濃 正也;  福久 敏哉
Adobe PDF(145Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006287055A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
Adobe PDF(129Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/01/18
半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23
发明人:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃
收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3521793B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-19
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  吉川 昭男
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03
发明人:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見
Adobe PDF(47Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃;  萬濃 正也;  木戸口 勲;  足立 秀人;  石橋 明彦;  福久 敏哉;  熊渕 康仁
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/12/26