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单片2波长半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1933265B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12
发明人:  松木义幸;  万浓正也;  福久敏哉;  鹈饲勉
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007142227A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007067305A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1901302A, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  福久敏哉;  万浓正也;  古川秀利
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006287057A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  能米 雅信;  古川 秀利;  萬濃 正也;  福久 敏哉
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半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006287055A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23
发明人:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3521793B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-19
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  吉川 昭男
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窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03
发明人:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見
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半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃;  萬濃 正也;  木戸口 勲;  足立 秀人;  石橋 明彦;  福久 敏哉;  熊渕 康仁
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