半导体激光装置及其制造方法

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	半导体激光装置及其制造方法
其他题名	半导体激光装置及其制造方法
	福久敏哉; 万浓正也; 古川秀利
	2007-01-24
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2007-01-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
其他摘要	本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
申请日期	2006-07-19
专利号	CN1901302A
专利状态	授权
申请号	CN200610106015.1
公开（公告）号	CN1901302A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/026 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/16
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85827
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	福久敏哉,万浓正也,古川秀利. 半导体激光装置及其制造方法. CN1901302A[P]. 2007-01-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1901302A.PDF（2453KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文