Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 能米 雅信; 古川 秀利; 萬濃 正也; 福久 敏哉 | |
| 2006-10-19 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2006-10-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 赤外半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ赤外/赤の2波長半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 n-GaAs基板101と、n-GaAs基板101の上に設けられたn-GaAsバッファ層102と、n-GaAsバッファ層102の上に設けられた赤外色用半導体レーザ素子部10と、n-GaAsバッファ層102の上に設けられた赤色用半導体レーザ素子部20とを備え、赤外色用半導体レーザ素子部10は、n-GaAsバッファ層102の上に設けられたn-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層103と、活性層104と、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層105とを有し、赤色用半導体レーザ素子部20は、n-GaAsバッファ層102の上に設けられたn-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層111と、活性層112と、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層113とを有する。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 提供一种能够防止红外半导体激光器件的特性劣化的红外/红色双波长半导体激光器件及其制造方法。 n-GaAs衬底上提供n-GaAs缓冲层; n-GaAs缓冲层上提供红外颜色的半导体激光器件部分;如图10所示，红色半导体激光元件部分20设置在n-GaAs缓冲层102上。红外半导体激光元件部分10包括n-GaAs缓冲层102，n 0.5 0.5 P包层103，有源层104和p子包层105和红色半导体层（Al 0.7 Ga 0.3 ） 0.5 In 0.7 Ga 0.3 ） 0.5 在 0.5 P包层111中，有源层112， sub> 0.5 P包层113。 .The |
| 申请日期 | 2005-04-01 |
| 专利号 | JP2006287057A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2005106678 |
| 公开（公告）号 | JP2006287057A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 新居 広守 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88579 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 能米 雅信,古川 秀利,萬濃 正也,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2006287057A[P]. 2006-10-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006287057A.PDF（145KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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