单片2波长半导体激光器及其制造方法

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	单片2波长半导体激光器及其制造方法
其他题名	单片2波长半导体激光器及其制造方法
	松木义幸; 万浓正也; 福久敏哉; 鹈饲勉
	2010-05-12
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2010-05-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(5e18cm-3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm-3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。
其他摘要	本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(5e18cm-3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm-3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。
主权项	一种单片2波长半导体激光器，在第1导电型衬底(101)上形成振荡波长不同的第1半导体激光器、第2半导体激光器，其特征在于，具有端面窗结构，并且第1导电型衬底(101)上具有包含第1导电型的第1包层(103)、由GaInP阱层和AlGaInP阻挡层组成的多量子阱结构的第1激活层(104)、和由AlGaInP组成的第2导电型的第2包层(105)的第1半导体激光器双异质结构、以及包含第1导电型的第3包层(108)、由GaAs阱层和AlGaAs阻挡层组成的多量子阱结构的第2激活层(109)、和氢浓度高于第2包层(105)的氢浓度的由AlGaInP组成的第2导电型的第4包层(110)的第2半导体激光器双异质结构；所述端面窗结构以热处理方式使杂质从形成于第1激活层(104)上的第2包层(105)以及形成于第2激活层(109)上的第4包层(110)的上部扩散，使第1激活层(104)以及第2激活层(109)无序化而形成。
申请日期	2006-06-26
专利号	CN1933265B
专利状态	失效
申请号	CN200610099759.5
公开（公告）号	CN1933265B
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/16 \| H01S5/22 \| H01S5/227 \| H01S5/343 \| H01S5/323 \| G11B7/125
专利代理人	沈昭坤
代理机构	上海专利商标事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47076
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松木义幸,万浓正也,福久敏哉,等. 单片2波长半导体激光器及其制造方法. CN1933265B[P]. 2010-05-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1933265B.PDF（494KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文