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半導体レーザ装置
其他题名半導体レーザ装置
福久 敏哉; 萬濃 正也; 古川 秀利
2007-03-15
专利权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期2007-03-15
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 電流注入経路の不安定性を抑制し、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することを目的とする。 【解決手段】 電流ブロック層を複数層構造とし、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404に隣接する電流ブロック層をエッチングストップ層405またはp型クラッド層404より大きいバンドギャップを有する材料で構成することにより、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404と、電流ブロック層とが接合する近傍の価電子帯においてスパイクの発生が抑えられるため、ホールが導波領域の外側に漏洩しても、電流注入経路の変動を抑え、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することができる。 【選択図】 図1
其他摘要电流注入通路的抑制不稳定性,并且其目的是抑制激光特性的恶化,如在工作电流的增大或扩展角的变化。 一通过在电流阻挡层和多层结构时,构成相邻的所述蚀刻停止层405或所述p型包覆层具有的带隙比所述蚀刻停止层405或所述p型包覆层404大的材料404中的电流阻挡层,蚀刻停止层405或所述p型包覆层404中,由于尖峰的发生被抑制在价带中结附近和电流阻挡层,即使泄漏到波导区的外部的孔,所述电流注入路径抑制工作电流的波动,增加和蔓延激光特性的恶化,如角的波动可以被抑制。 发明背景
申请日期2005-09-02
专利号JP2007067305A
专利状态失效
申请号JP2005254227
公开(公告)号JP2007067305A
IPC 分类号H01S5/223 | H01S5/00
专利代理人板垣 孝夫 | 森本 義弘 | 笹原 敏司 | 原田 洋平
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74054
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
福久 敏哉,萬濃 正也,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2007067305A[P]. 2007-03-15.
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