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半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101867156B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  城岸直辉;  荒木田孝博
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垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101800398B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10
发明人:  增井勇志;  荒木田孝博;  成瀬晃和;  幸田伦太郎;  城岸直辉
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半导体发光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101794966B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
发明人:  城岸直辉;  增井勇志;  幸田伦太郎;  荒木田孝博
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半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101834408B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14
发明人:  前田修;  增井勇志;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博
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激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102214897A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
发明人:  增井勇志;  荒木田孝博;  菊地加代子;  成瀬晃和;  近藤幸一;  城岸直辉
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半导体发光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102214896A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
发明人:  前田修;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博;  内田史朗
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半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102163803A, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2011-08-24
发明人:  增井勇志;  荒木田孝博;  山内义则;  菊地加代子;  幸田伦太郎;  山口典彦;  大木智之
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面发射半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102136676A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27
发明人:  汐先政贵;  前田修;  荒木田孝博;  佐藤进
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半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102122792A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13
发明人:  荒木田孝博;  内田史朗;  汐先政贵;  前田修
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光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011096857A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12
发明人:  荒木田 孝博;  内田 史朗;  汐先 政貴;  前田 修
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