Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 前田修; 增井勇志; 汐先政贵; 佐藤进; 荒木田孝博 | |
| 2012-11-14 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2012-11-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。 |
| 申请日期 | 2010-03-03 |
| 专利号 | CN101834408B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201010130116 |
| 公开（公告）号 | CN101834408B |
| IPC 分类号 | H01S5/187 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 彭久云 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93069 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田修,增井勇志,汐先政贵,等. 半导体激光器及其制造方法. CN101834408B[P]. 2012-11-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101834408B.PDF（6802KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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