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激光二极管
其他题名激光二极管
增井勇志; 荒木田孝博; 菊地加代子; 成瀬晃和; 近藤幸一; 城岸直辉
2011-10-12
专利权人索尼公司
公开日期2011-10-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小,而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括:柱形台,依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜,包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层,并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状;以及多个金属电极,形成在台的顶面的没有面对未氧化区域的区域中。
其他摘要本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小,而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括:柱形台,依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜,包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层,并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状;以及多个金属电极,形成在台的顶面的没有面对未氧化区域的区域中。
申请日期2011-04-01
专利号CN102214897A
专利状态失效
申请号CN201110082192.1
公开(公告)号CN102214897A
IPC 分类号H01S5/42 | H01S5/042
专利代理人彭久云
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92886
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
增井勇志,荒木田孝博,菊地加代子,等. 激光二极管. CN102214897A[P]. 2011-10-12.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
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