Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面发射半导体激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 面发射半导体激光器及其制造方法 |
| 汐先政贵; 前田修; 荒木田孝博; 佐藤进 | |
| 2011-07-27 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2011-07-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 面发射半导体激光器及其制造方法。面发射半导体激光器的制造方法包括如下步骤：形成堆叠结构，该堆叠结构在基板上依次具有包括至少一层下可氧化层的下多层膜反射器、具有发光区域的有源层、包括上可氧化层的上多层膜反射器以及上层；在该上层中提供第一凹槽；以及在该堆叠结构中提供第二凹槽，该第二凹槽包括平面形状与第一凹槽重叠的部分以及与第一凹槽不重叠的部分。 |
| 其他摘要 | 面发射半导体激光器及其制造方法。面发射半导体激光器的制造方法包括如下步骤：形成堆叠结构，该堆叠结构在基板上依次具有包括至少一层下可氧化层的下多层膜反射器、具有发光区域的有源层、包括上可氧化层的上多层膜反射器以及上层；在该上层中提供第一凹槽；以及在该堆叠结构中提供第二凹槽，该第二凹槽包括平面形状与第一凹槽重叠的部分以及与第一凹槽不重叠的部分。 |
| 申请日期 | 2011-01-19 |
| 专利号 | CN102136676A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110021124.4 |
| 公开（公告）号 | CN102136676A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 彭久云 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92916 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汐先政贵,前田修,荒木田孝博,等. 面发射半导体激光器及其制造方法. CN102136676A[P]. 2011-07-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102136676A.PDF（3636KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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