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面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105914581B, 申请日期: 2018-10-12, 公开日期: 2018-10-12
发明人:  近藤崇;  村上朱实;  武田一隆;  城岸直辉;  早川纯一朗;  樱井淳
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光发射器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107611771A, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
发明人:  城岸直辉;  樱井淳;  村上朱实;  近藤崇;  早川纯一朗
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面发光型半导体激光元件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106532432A, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2017-03-22
发明人:  早川纯一朗;  村上朱实;  近藤崇;  城岸直辉;  樱井淳
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垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106505410A, 申请日期: 2017-03-15, 公开日期: 2017-03-15
发明人:  近藤崇;  村上朱实;  城岸直辉;  早川纯一朗;  樱井淳
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半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101867156B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  城岸直辉;  荒木田孝博
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垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101800398B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10
发明人:  增井勇志;  荒木田孝博;  成瀬晃和;  幸田伦太郎;  城岸直辉
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半导体发光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101794966B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
发明人:  城岸直辉;  增井勇志;  幸田伦太郎;  荒木田孝博
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激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102214897A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
发明人:  增井勇志;  荒木田孝博;  菊地加代子;  成瀬晃和;  近藤幸一;  城岸直辉
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激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101950923A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
发明人:  增井勇志;  前田修;  幸田伦太郎;  荒木田孝博;  城岸直辉;  近藤幸一
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