Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光器件 | |
| 其他题名 | 半导体发光器件 |
| 荒木田孝博; 内田史朗; 汐先政贵; 前田修 | |
| 2011-07-13 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2011-07-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。 |
| 申请日期 | 2010-10-21 |
| 专利号 | CN102122792A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010519048.5 |
| 公开（公告）号 | CN102122792A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/026 |
| 专利代理人 | 余刚 | 吴孟秋 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70386 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田孝博,内田史朗,汐先政贵,等. 半导体发光器件. CN102122792A[P]. 2011-07-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102122792A.PDF（544KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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