OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置
其他题名光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置
荒木田 孝博; 内田 史朗; 汐先 政貴; 前田 修
2011-05-12
专利权人SONY CORP
公开日期2011-05-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】他の光学部品への集光特性を向上させることが可能な面発光レーザ装置を提供する。 【解決手段】面発光レーザ素子110の光出射面110Aに直接、光導波路120を設けて、そのコア層121の径を、面発光レーザ素子110のニアフィールドパターンと同等またはニアフィールドパターンよりも小さくする。面発光レーザ素子110で発生した光は、出射して広がってしまう前に、すなわちニアフィールドパターンでまだ広がらない状態で、光導波路120のコア層121に入る。コア層121に入った光は、ニアフィールドパターンから広がらない状態のまま、コア層121を導かれ、次の光学部品へ光結合される。よって、出射光の拡大が抑えられ、次の光学部品への集光特性が向上する。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:提供一种能够改善其他光学元件上光会聚特性的表面发射激光器件。 ŽSOLUTION:光波导120直接设置在表面发光激光元件110的光发射表面110A上,并且其芯层121的直径等于或小于表面光的近场图案。发射激光元件110.由表面发光激光器元件110发射的光在被投射扩散之前进入光波导120的芯层121,即在光尚未在近场图案处扩散的状态下。进入芯层121的光在芯层121中被引导,并且在其不从近场图案扩散的状态下光学耦合到下一个光学部件。因此,抑制了投射光的发散,从而改善了下一个光学部件上的光会聚的特性。 Ž
主权项-
申请日期2009-10-29
专利号JP2011096857A
专利状态失效
申请号JP2009249472
公开(公告)号JP2011096857A
IPC 分类号H01S5/026 | H01S5/187 | G02B6/122 | G02B6/42 | G11B5/31
专利代理人藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 | 田名網 孝昭
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61590
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
荒木田 孝博,内田 史朗,汐先 政貴,等. 光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置. JP2011096857A[P]. 2011-05-12.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP2011096857A.PDF(196KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[荒木田 孝博]的文章
[内田 史朗]的文章
[汐先 政貴]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[荒木田 孝博]的文章
[内田 史朗]的文章
[汐先 政貴]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[荒木田 孝博]的文章
[内田 史朗]的文章
[汐先 政貴]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。