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半导体发光装置
其他题名半导体发光装置
前田修; 汐先政贵; 佐藤进; 荒木田孝博; 内田史朗
2011-10-12
专利权人索尼公司
公开日期2011-10-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括允许精确地估算元件温度的温度检测部分。该半导体发光装置包括:在半导体基板上的一个或多个面发射半导体发光部分和一个或多个半导体温度检测部分,该面发射半导体发光部分在半导体基板的法线方向上发光,该半导体温度检测部分不向外发光。该半导体发光部分和该半导体温度检测部分具有在半导体基板的法线方向上的PN结或者PIN结。
其他摘要本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括允许精确地估算元件温度的温度检测部分。该半导体发光装置包括:在半导体基板上的一个或多个面发射半导体发光部分和一个或多个半导体温度检测部分,该面发射半导体发光部分在半导体基板的法线方向上发光,该半导体温度检测部分不向外发光。该半导体发光部分和该半导体温度检测部分具有在半导体基板的法线方向上的PN结或者PIN结。
申请日期2011-03-25
专利号CN102214896A
专利状态失效
申请号CN201110073287.7
公开(公告)号CN102214896A
IPC 分类号H01S5/026 | H01S5/024
专利代理人彭久云
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67957
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
前田修,汐先政贵,佐藤进,等. 半导体发光装置. CN102214896A[P]. 2011-10-12.
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CN102214896A.PDF(639KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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